“余總，對(duì)于我們的兩臺(tái)設(shè)備，你還有什么意見(jiàn)，或者想了解的？”一旁的ASML工作人員問(wèn)道。

    “沒(méi)什么了……回吧?！?br/>
    余子賢沒(méi)什么看的了，主要確認(rèn)設(shè)備的存在和完好性，再一個(gè)就是對(duì)應(yīng)設(shè)備技術(shù)特性，而余子賢看重的主要兩點(diǎn):1.5微米的制程、步進(jìn)式。

    在余子賢心里，這兩臺(tái)光刻機(jī)已經(jīng)是香積電的了。其他的事情，就交給談判桌上搞定，然后盡可能澀爭(zhēng)取盡可能的利益。

    當(dāng)余子賢參觀完成苔積電庫(kù)房的光刻機(jī)，向ASML確認(rèn)了購(gòu)買意向之后，與ASML的談判重心就從歐洲芬蘭轉(zhuǎn)移到了灣島新竹。

    說(shuō)到苔積電于ASML合作以及壯大的原因還要數(shù)浸入式光刻。

    那么什么是浸入式光刻了？

    自從摩爾定律被提出，人類的想象力就得到了無(wú)限發(fā)揮的空間。每一次尺寸縮小就意味著制程上的革新，一幕幕工藝上的改朝換代就這樣不斷上演，浸入式光刻也就此走上了歷史舞臺(tái)。

    浸入式光刻的原型實(shí)驗(yàn)在上世紀(jì)90年代開(kāi)始陸續(xù)出現(xiàn)。1999年，IBM的Hoffnagle使用257nm干涉系統(tǒng)制作出周期為89nm的密集圖形。當(dāng)時(shí)使用的浸入液是環(huán)辛烷。但因?yàn)楫?dāng)時(shí)對(duì)浸入液的充入、鏡頭的沾污、光刻膠的穩(wěn)定性和氣泡的傷害等關(guān)鍵問(wèn)題缺乏了解，人們并未對(duì)浸入式光刻展開(kāi)深入的研究。

    2002年以前，業(yè)界普遍認(rèn)為193nm光刻無(wú)法延伸到65nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，而157nm將成為主流技術(shù)。然而，157nm光刻技術(shù)遭遇到了來(lái)自光刻機(jī)透鏡的巨大挑戰(zhàn)。這是由于絕大多數(shù)材料會(huì)強(qiáng)烈地吸收157nm的光波，只有CaF2勉強(qiáng)可以使用。但研磨得到的CaF2鏡頭缺陷率和像差很難控制，并且價(jià)格相當(dāng)昂貴。雪上加霜的是它的使用壽命也極短，頻繁更換鏡頭讓芯片制造業(yè)無(wú)法容忍。

    正當(dāng)眾多研究者在157nm浸入式光刻面前躊躇不前時(shí)，時(shí)任TSMC資深處長(zhǎng)的林本堅(jiān)提出了193nm浸入式光刻的概念。在157nm波長(zhǎng)下水是不透明的液體，但是對(duì)于193nm的波長(zhǎng)則是幾乎完全透明的。并且水在193nm的折射率高達(dá)1.44，而可見(jiàn)光只有1.33！如果把水這樣一種相當(dāng)理想的浸入液，配合已經(jīng)十分成熟的193nm光刻設(shè)備，那么設(shè)備廠商只需做較小的改進(jìn)，重點(diǎn)解決與水浸入有關(guān)的問(wèn)題，193nm水浸式光刻機(jī)就近在咫尺了。同時(shí)，193nm光波在水中的等效波長(zhǎng)縮短為134nm，足可超越157nm的極限。193nm浸入式光刻的研究隨即成為光刻界追逐的焦點(diǎn)。

    浸入式光刻是指在光刻機(jī)投影鏡頭與半導(dǎo)體硅片之間用一種液體充滿，從而獲得更好分辯率及增大鏡頭的數(shù)值孔徑，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)更小曝光尺寸的一種新型光刻技術(shù)。

    回到91年的此時(shí)，苔積電只是苔積電，ASML只是ASML，兩者都還是各自領(lǐng)域中弟弟。

    半導(dǎo)體與集成電路、芯片的概念區(qū)別。

    一、基本定義、概念與分類

    半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。從狹義上來(lái)講：微電子工業(yè)中的半導(dǎo)體材料主要是指：鍺（Ge）、硅（Si）、砷化鎵（GaAs）。從廣義上來(lái)講：半導(dǎo)體材料還包括各種氧化物半導(dǎo)體，有機(jī)半導(dǎo)體等。

    半導(dǎo)體分類

    按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲(chǔ)存器等大類，一般來(lái)說(shuō)這些還會(huì)被分成小類。此外還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計(jì)方法等進(jìn)行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進(jìn)行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號(hào)，可以分成模擬、數(shù)字、模擬數(shù)字混成及能進(jìn)行分類的方法。

    芯片與集成電路的聯(lián)系和區(qū)別

    芯片一般是指集成電路的載體，也是集成電路經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試后的結(jié)果，通常是一個(gè)可以立即使用的獨(dú)立的整體。

    “芯片”和“集成電路”這兩個(gè)詞經(jīng)?；熘褂茫热缭诖蠹移匠Ｓ懻撛掝}中，集成電路設(shè)計(jì)和芯片設(shè)計(jì)說(shuō)的是一個(gè)意思，芯片行業(yè)、集成電路行業(yè)、IC行業(yè)往往也是一個(gè)意思。實(shí)際上，這兩個(gè)詞有聯(lián)系，也有區(qū)別。

    集成電路實(shí)體往往要以芯片的形式存在，因?yàn)楠M義的集成電路，是強(qiáng)調(diào)電路本身，比如簡(jiǎn)單到只有五個(gè)元件連接在一起形成的相移振蕩器，當(dāng)它還在圖紙上呈現(xiàn)的時(shí)候，我們也可以叫它集成電路，當(dāng)我們要拿這個(gè)小集成電路來(lái)應(yīng)用的時(shí)候，那它必須以獨(dú)立的一塊實(shí)物，或者嵌入到更大的集成電路中，依托芯片來(lái)發(fā)揮他的作用；集成電路更著重電路的設(shè)計(jì)和布局布線，芯片更強(qiáng)調(diào)電路的集成、生產(chǎn)和封裝。而廣義的集成電路，當(dāng)涉及到行業(yè)（區(qū)別于其他行業(yè)）時(shí)，也可以包含芯片相關(guān)的各種含義。

    芯片也有它獨(dú)特的地方，廣義上，只要是使用微細(xì)加工手段制造出來(lái)的半導(dǎo)體片子，都可以叫做芯片，里面并不一定有電路。比如半導(dǎo)體光源芯片；比如機(jī)械芯片，如MEMS陀螺儀；或者生物芯片如DNA芯片。在通訊與信息技術(shù)中，當(dāng)把范圍局限到硅集成電路時(shí)，芯片和集成電路的交集就是在“硅晶片上的電路”上。芯片組，則是一系列相互關(guān)聯(lián)的芯片組合，它們相互依賴，組合在一起能發(fā)揮更大的作用，比如計(jì)算機(jī)里面的處理器和南北橋芯片組，手機(jī)里面的射頻、基帶和電源管理芯片組。

    芯片的概念。

    將電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）集成電路（hybridintegratedcircuit）是由獨(dú)立半導(dǎo)體設(shè)備和被動(dòng)組件，集成到襯底或線路板所構(gòu)成的小型化電路。

    從1949年到1957年，維爾納·雅各比（WernerJacobi）、杰弗里·杜默（JeffreyDummer）、西德尼·達(dá)林頓（SidneyDarlington）、樽井康夫（YasuoTarui）都開(kāi)發(fā)了原型，但現(xiàn)代集成電路是由杰克·基爾比在1958年發(fā)明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎(jiǎng)，但同時(shí)間也發(fā)展出近代實(shí)用的集成電路的羅伯特·諾伊斯，卻早于1990年就過(guò)世。

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    先定個(gè)小目標(biāo)，比如1秒記?。簳?shū)客居

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